宏丰半导体10亿元高端引线框架建设项目落户嘉兴
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开,详见后文
近日,由浙江宏丰半导体新材料有限公司投资的高端引线框架建设项目正式签约落户浙江海盐经济开发区(西塘桥街道)。
(资料图)
图片来源:海盐发布
海盐发布消息显示,该项目总投资10亿元,拟选址在海盐经济开发区内,拿地共86亩,分两期建设,满产后产值可达15亿元,拟引进全自动卷对卷蚀刻线、卷对卷电镀线生产引线框架。
浙江宏丰半导体新材料有限公司是温州宏丰电工合金股份有限公司控股子公司。温州宏丰电工合金股份有限公司成立于1997年,主要产品包括电接触材料、金属基功能复合材料、硬质合金材料、高性能极薄锂电铜箔、蚀刻引线框架材料及智能装备,产品可广泛应用于工业制造、智能交通、智能家居、通讯信息、航空航天、采掘、机械制造、医疗等领域。
来源:集微网
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点;碳中和与新能源体系变革的背景下,在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测,到2026年,碳化硅产品市场将达35亿美元,氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来,国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目,全产业链项目约26个,国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场,受益于特斯拉的应用需求,意法半导体领先全球市场;Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集,是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业,8英寸衬底正在探索商业化量产,其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速,国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景,最新衬底、外延、器件技术与项目投资,碳化硅、氮化镓长晶技术,净化工程与EPC,新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展:氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察(重点企业或园区)
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